硬件工程师招聘应届生一般会考察什么,有什么要求,全面解析

硬件工程师招聘应届生一般会考察什么,有什么要求,全面解析

本轮继续解析硬件岗的笔试题,来自CVTE的1道简答题、紫光展锐的3道选择题,涉及的知识点有:二极管电路分析、三极管与MOS管的区别等。

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正文开始:

21.如图所示的电路,VI为理想电压源,Vi为噪声电压源,RIN为电源内阻,vD表示齐纳二极管两端电压,该齐纳二极管V-I特性曲线如图所示,RL为负载,VO和vo分别为负载上的理想输出电压和噪声电压,假定VI=10V,vi=50mV,RIN=1kΩ

1)分别计算RL=2kΩ和RL=4kΩ时的VO和VO,并列出VO和RL之间的关系式;

2)简述齐纳二极管在电路中的作用

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解析:

本题考察了齐纳二极管(稳压管)的用法以及相关的简单计算。首先从第二问开始解析,齐纳二极管一般反并联在负载两端,当负载电压超过齐纳二极管的反向击穿电压时,齐纳二极管击穿,此时进入反向击穿区。利用其在反向击穿区“电流增加时电压基本不变”的特性,将负载电压稳定在其击穿电压处。

结合原理图和齐纳二极管伏安特性曲线分析来看,当RL电压增加到5V以上时,齐纳二极管反向击穿,使得负载电压稳定在5V。

再来看第一问。第一问只要求理想输出电压,那么可以将噪声电压直接变为0V来分析(电路课本中的叠加定理)。当RL=2kohm时,先将齐纳二极管从电路中去掉,根据下面的电阻分压公式可以计算出VO:

VO = 10 x 2k/2k+1k = 6.67V

6.67V大于5V,因此齐纳二极管反向击穿,负载电压稳定在5V, VO = 5V。

同样的原理,先计算出RL=4kohm时无齐纳二极管的VO:

VO = 10 x 4k/4k+1k = 8V,8V > 5V,所以此时VO = 5V

根据上面的计算和分析,可以知道这个关系式其实有两部分:齐纳二极管没有反向击穿时、齐纳二极管反向击穿时。关系式的确立需要找到临界条件,即VO = 5V。根据电阻分压定理可以知道,在RL = 1kohm时,VO = 5V,所以关系式如下面所示:

VO = 10V x RL/(RL+RIN), RL

VO = 5V, RL > 1kohm

以上就是CVTE的整套题目的解析了。接下来,我们继续解析紫光展锐硬件笔试题。大家会发现,CVTE笔试的很多知识点会在紫光展锐的这一套题中再次出现,说明这些反复出现的考点就是需要求职者必须掌握的最基础的知识。

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1.稳压管通常工作在:(单选)

A.正向导通状态

B.反向导通状态

解析:本题答案为B。具体原因已经在上面的简答题中进行过分析了,同时达尔闻此前解析的题目中也有关于稳压管的题目,对稳压管的使用仍有疑惑的同学可以翻阅之前的题目进行练习。

2. BJT在工作时,Vbe = 0.7V和Vbc < 0V,该晶体管工作在_状态(单选)

A.截止

B.放大

C.临界饱和

D.饱和

解析:由于没有说是什么类型的BJT,先用NPN来分析。BJT进入放大区的条件有两个:发射结正偏,集电结反偏。对NPN管来说,就是Vbe > 0.7V,Vbc < 0V。题目中的条件是Vbe = 0.7V,处于临界状态,因此选C临界饱和。

再用PNP来分析。如果是PNP管,一般是Ve电压大于Vb电压,Vb电压大于Vc电压,即Vbe < 0, Vbc > 0,题目中的这种情况一般不会出现,又因为这是道单选题,所以不予考虑。

3.三极管与MOS管的描述正确的是(单选)

A.三极管是电流控制型,MOS管是电压控制型

B.三极管是电压控制型,MOS管是电流控制型

C.三极管是电压控制型,MOS管是电压控制型

D.三极管是电流控制型,MOS管是电流控制型

解析:本题答案为A

又是熟悉的三极管与MOS管对比,在上一套题里已经有所解析,这里再次复习一下。三极管最核心的公式是 Ic = (beta)* Ib,其中beta指三极管本身的电流放大系数,这也就说明了三极管的工作是通过控制基极电流Ib从而控制流过集电极的电流Ic,所以三极管是电流控制型。

MOS管的导通控制主要依靠gs电压,以NMOS为例,当gs两端电压大于门槛电压,即Vgs>Vgs(th)时,ds导通沟道开始形成。在不损坏MOS的前提下,Vgs越高,导通沟道越宽,导通电阻越小。因此MOS管是电压控制型。答案选A。

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这类关于三极管和MOS管对比的题目在各个厂家的笔试中已经算是必考了,所以对于这两种器件的特性要有一个清晰的认识。

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