使用非易失性FRAM替换SRAM时的问题和解决方案

FRAM是一种非易失性存储器产品,具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点。

富士通并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保证写入寿命超过10万亿次,运行速度与SRAM相同,TSOP封装与SRAM兼容。MB85R8M2TA具有与SRAM兼容的并行接口,可在1.8V至3.6V的宽电源电压范围内运行。

在快速页面模式下,FRAM能够运行到25ns,在连续数据传输时,其访问速度与SRAM一样高。与富士通的传统FRAM产品相比,它不仅实现了更高的运行速度,而且降低了功耗。该FRAM的最大写入电流为18mA,比目前的产品低10%,最大待机电流为150µA,低50%。

在某些情况下可以省去SRAM所需的数据备份电池。富士通的FRAM产品可以解决因用非易失性存储器取代SRAM而产生的以下问题:

问题:更改接口设计和PCB设计的额外工作
解决方案:使用与SRAM接口和SRAM封装兼容的FRAM

问题:难以用写入速度非常慢的非易失性存储器替代
解决方案:使用具有快速写入操作的FRAM,页面模式下最大25ns

问题:写入寿命高达10万亿次导致设计限制
解决方案:使用写入寿命高达100万亿次的FRAM

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