ARM裸机开发:RAM、ROM、FLASH概念

文章目录

  • ARM裸机开发:RAM、ROM、FLASH概念
    • 一、RAM和ROM前言
    • 二、RAM
    • 三、ROM

ARM裸机开发:RAM、ROM、FLASH概念

一、RAM和ROM前言

ROM 和 RAM 都是一种存储技术,只是两者原理不同

RAM: 为随机存储,掉电不会保存数据,RAM 速度快,可以直接和 CPU 进行通信,但是掉电以后数据会丢失,容量不容易做大,比如内存条、SRAM、SDRAM、DDR 等都是 RAM;

ROM: 只读存储器,可以在掉电的情况下,依然保存原有的数据;但 ROM 速度慢,容量大,适合存储数据

FLASH: 又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据,U盘和MP3里用的就是这种存储器,因为 Flash 掉电不丢失数据的特性,现在很多人把它归为 ROM 的一种,但实际上它却能够进行写操作,和 ROM 有一定的区别,但也属于 ROM ;

正点原子的开发板上,256MB/512MB 的 DDR3 就 是 RAM,而 512MB NANF Flash 或 8GB EMMC 就是 ROM

二、RAM

RAM 具体可以分为两类:SRAM 和 DRAM 两种:

  • SRAM: 静态随机存储器,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
    优点:速度快,不必配合内存刷新电路,可提高整体的工作效率。
    缺点:集成度低,功耗较大,相同的容量体积较大,而且价格较高,少量用于关键性系统以提高效率

  • DRAM: 动态随机存储器,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失

三、ROM

ROM 根据其读写进行分类,可分为以下几类:

  • 固定ROM: 生产时内部存储的数据或者程序就已经固定

  • PROM(Programmable ROM):可一次编程ROM,出厂后可进行一次编程,之后就无法修改内部数据和程序

  • EPROM:PROM的优化,为了克服PROM只能写入一次的缺点,出现了可多次擦除和编程的存储器,但是其擦除的条件比较特殊,需要借助紫外线

  • E2PROM:电写入电擦除的只读存储器,擦除时不需要紫外线,只要用加入10ms、20V左右的电脉冲即可完成擦除操作

  • Flash:闪存储器,它具有E2PROM擦除的快速性,结构又有所简化,进一步提高了集成度和可靠性,从而降低了成本,目前市面上最常见的存储器

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